Najprostsza metoda produkcji węglika krzemu polega na stopieniu piasku krzemionkowego i węgla, takiego jak węgiel, w wysokich temperaturach - do 2500 stopni Celsjusza. Ciemniejsze, bardziej powszechne wersje węglika krzemu często zawierają zanieczyszczenia żelazem i węglem, ale czyste kryształy SiC są bezbarwne i powstają, gdy węglik krzemu jest sublimowany w temperaturze 2700 stopni Celsjusza. Po podgrzaniu kryształy te są osadzane na graficie w niższej temperaturze w procesie znanym jako metoda Lely'ego.
Metoda Lely'ego:W tym procesie tygiel granitowy jest podgrzewany do bardzo wysokiej temperatury, zwykle przez indukcję, aby sublimować proszek węglika krzemu. Pręt grafitowy o niższej temperaturze znajduje się w mieszaninie gazowej, co pozwala na wytrącenie się czystego węglika krzemu i utworzenie kryształów.
Osadzanie chemiczne z fazy gazowej:Alternatywnie producenci hodują sześcienny SiC przy użyciu chemicznego osadzania z fazy gazowej, które jest powszechnie stosowane w procesach syntezy opartych na węglu i jest używane w przemyśle półprzewodnikowym. W tej metodzie specjalna chemiczna mieszanina gazów jest wprowadzana do środowiska próżniowego i łączona przed osadzeniem na podłożu.
Obie metody produkcji płytek z węglika krzemu wymagają ogromnych ilości energii, sprzętu i wiedzy, aby się powiodły.
